Page 56 - TSIA 2024 年會_年刊

2024 余心仁 Xin-Ren Yu 國立成功大學 微電子工程研究所 獲獎摘要 博士研究生 余心仁同學於 2020 年國立成功大學微電子所碩士一年級逕讀國立成功大學微電子所博士班，其主 要研究領域為開發前段晶圓鍵合技術 (wafer bonding)，以製備異質互補式電晶體 (CFET) 暨三維晶 片 (3D-IC) 元件，並提升電晶體密度與增進電晶體效能，此外更以高遷移率鍺基元件開展低溫電晶 體以應用於高效能運算 (HPC) 領域。迄今為止，其研究成果已經以第一作者身分發表於 IEEE IEDM 與 VLSI 等知名會議共 3 篇。 54 得獎經歷 / 專利 • 參與國科會，Å 世代前瞻半導體專案計畫，應用於 Å 世代技術節點與低溫 高效能運算之先進高密度 / 高性能電晶體開發、量測與模擬 • 參 與 2024 台 積 電 JDP 計 畫，Stacked-nSi/pGe CFET using Low-Temp. Bonding and Ge-on-Insulator Structure • 參 與 2022 台 積 電 ARP 計 畫，Low-temperature Process Integration of Memory, RF Devices, and Stacked Metal-oxide Channel Complementary Field-effect Transistors (CFETs) for 3D-IC Applications • 參與 2022 台積電 JDP 計畫，Fabrication of high-quality interfacial layer by hydrazine (N2H4) incorporation for high-mobility channel FETs 重要學術著作 • 參與台日合作案，應用於 AI 晶片技術的三維異質功能性互補 式場效電晶體 (CFETs) • 2022~2024 台積電 - 成大聯合研發中心獎助學金 • 2022 全訊科技獎學金 • 2023 SNDCT 優良海報獎 • 2023 IEDMS 最佳口頭報告獎 1. T.-Z. Hong,...,X.-R. Yu et al., "First Demonstration of heterogenous Complementary FETs utilizing Low-Temperature (200 ˚C) Hetero-Layers Bonding Technique (LT-HBT)", International Electron Devices Meeting (IEDM) 2020, San Francisco, CA, USA. 2. S.-W.Chang,...,X.-R. Yu et al., "First Demonstration of Heterogeneous IGZO/Si CFET Monolithic 3D Integration with Dual Workfunction Gate for Ultra Low-power SRAM and RF Applications ", International Electron Devices Meeting (IEDM) 2021, San Francisco, CA, USA. 3. X.-R. Yu et al., "First Demonstration of Vertical Stacked Hetero-Oriented n-Ge (111)/p-Ge (100) CFET toward Mobility Balance Engineering", Symposium on VLSI Technology, Hawaii, USA,June, 12-17, 2022. 4. Tzu-Chieh Hong, Xin-Ren Yu et al., "Investigation of Ge channel Complemental Field Effect Transistors (CFETs) Stacked Epitaxy or Layer Transfer", IEEE Electron Devices Tech. Manufacturing Conf. (EDTM), 241, Virtual, Japan, March 6-9 (2022) 5. X.-R.Yuetal.,"IntegrationDesignandProcessof3-DHeterogeneous6TSRAMwithDoubleLayerTransferredGe/2SiCFETandIGZOPass Gates for 42% Reduced Cell Size", International Electron Devices Meeting (IEDM) 2022, San Francisco, CA, USA 6. C.-Y. Yang,...,X.-R. Yu et al., "First Demonstration of Heterogeneous L-shaped Field Effect Transistor (LFET) for Angstrom Technology Nodes", International Electron Devices Meeting (IEDM) 2022, San Francisco, CA, USA. 7. Wen Hsin Chang, Xin-Ren Yu et al.,"Multi-layer Stacked Nanosheet Hetero-structure Realized by Layer Transfer Technology for CFET Application", IEEE Electron Devices Tech. Manufacturing Conf. (EDTM), 241, Virtual, Japan, March 6-9 (2023). 8. X.-R. Yu et al., "First Demonstration of Defect Elimination for Cryogenic Ge FinFET CMOS Inverter Showing Steep Subthreshold Slope by Using Ge-on-Insulator Structure", International Electron Devices Meeting (IEDM) 2023, San Francisco, CA, USA. 指導教授 王永和 教授 現職 ・ 國立成功大學 / 電機系微電子所特聘教授 學歷 ・ Ph.D. in Electrical Engineering, National Cheng Kung University, 1985 ・ M.S. in Electrical Engineering, National Cheng Kung University, 1980 ・ B.S. in Electrical Engineering, National Cheng Kung University, 1978 經歷 ・ 2016-now TSMC-NCKU 聯合研發中心營運長 ・ 2016-2020 國家實驗研究院院長 ・ 2007-2012 國家實驗研究院副院長 ・ 1999-2003 兼任成功大學 / 工學院副院長 ・ 1996-1999 成功大學 / 電機系系主任 ・ 1993-1996 成功大學 / 電機系微電子所副所長 ・ 1992- n o w 成功大學 / 電機系微電子所教授 ・ 1989-1991 赴 AT&T 貝爾實驗室研究 ・ 1985-1992 成功大學 / 電機系微電子所副教授 ・ 1982-1985 成功大學 / 電機系微電子所講師